根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》（校科技〔2016〕11号）规定，对“柔性透明导电技术、双光束激光光刻技术、吡啶类蒽衍生物铂配位化合物及其合成与应用、存储系统数据处理与加密技术”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介：

1.“柔性透明导电技术”成果包含如下3项知识产权：

（1）发明专利：一种基于聚酰亚胺基底的柔性透明导电电极及其制备方法

发明人：屠国力，曹中欢，姜鹏飞，李夫，申九林

专利号：ZL201710366038.4

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种基于聚酰亚胺基底的柔性透明导电电极，自下而上包括聚酰亚胺基底、浸润层、金属层、金属网格层以及减反射层。通过在PI基底和金属叠层之间设置浸润层，保证了金属叠层以及金属网格在基底上的粘附性，金属网格粘附性良好，保证了电极的低方块电阻，这样金属叠层可以做成超薄厚度，进而实现良好的透光率。

（2）发明专利：一种复合透明电极及包含此电极的有机太阳能电池

发明人：屠国力，史婷

专利号：ZL201310547707.X

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种以超薄铝膜修饰的AZO复合透明电极及以此透明电极制备的有机太阳能电池。在高真空下，采用薄膜沉积技术在AZO基底上沉积一层超薄铝膜，以此调节AZO导电玻璃的功函数，使其成为收集电子的阴极。

（3）发明专利：一种砜基含氟二胺化合物和聚酰亚胺薄膜材料及其制法

发明人：屠国力，姜鹏飞

专利号：ZL201210411961.2

专利权人：华中科技大学

简介：本发明提供了一种砜基含氟二胺化合物2, 2’-双(三氟甲基)-4, 4’-二氨基苯基砜，还提供了以该砜基含氟二胺化合物砜基含氟二胺化合物制备的柔性透明聚酰亚胺薄膜。本发明制备砜基含氟二胺的方法，具有合成路线简单，反应条件温和，反应原料来源方便，成本低，有机溶剂使用种类少，能最大程度减少环境污染等特点。

2.“双光束激光光刻技术”成果包含如下5项知识产权：

（1）专利申请权：一种高力学强度的光刻胶

发明人：甘棕松，刘亚男，骆志军

申请号：201910413233.7

申请人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种高力学强度的光刻胶，其特征在于，包括光引发剂、交联剂和单体，以各组分占光刻胶的摩尔量计，光引发剂为0.1%~5%，交联剂为0.1%~5%，单体为90%~99.8%。

（2）专利申请权：一种应用于双光束激光的光刻胶

发明人：甘棕松，刘亚男，骆志军

申请号：201910415066.X

申请人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种应用于双光束激光的光刻胶，其特征在于，包括光引发剂、光抑制剂和单体，以各组分占光刻胶的摩尔量计，光引发剂为0.1%~5%，光抑制剂为0.1%~2%，单体为93%~99.8%。

（3）专利申请权：一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法

发明人：甘棕松，骆志军，刘亚男

申请号：201910415063.6

申请人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法，该装置包括腔体、若干激光通孔、若干激光挡板、第一流体通孔、第二流体通孔、第一流体阀门、第二流体阀门和若干光发射结构。

（4）专利申请权：一种应用于双光束激光光刻的掩膜版制造方法

发明人：甘棕松，刘亚男，骆志军

申请号：201910413230.3

申请人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种应用于双光束激光光刻的掩膜版制造方法，步骤包括：于掩膜基板表面依次沉积过渡层、金属层、抗反射层和光刻胶层，形成掩膜叠层；采用由制造光和辅助光组合形成的双光束激光，将光刻图案转印至所述光刻胶层上；对所述光刻胶层进行显影，除去由所述制造光辐照的光刻胶；对所述金属层和所述抗反射层进行腐蚀，并除去剩余光刻胶。

（5）专利申请权：一种应用于双光束光刻的光束对准系统及方法

发明人：甘棕松，骆志军，刘亚男

申请号：201910413229.0

申请人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种应用于双光束光刻的光束对准系统及方法，具体步骤包括：设置双光束对准系统；发射第一光束并调整所述物镜，使所述第一光束依次经第一二向色镜、第二二向色镜和所述物镜后到达上转换荧光片表面，调节探测单元的光路位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处；发射所述第一光束和第二光束，调节所述第二二向色镜的位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处；沿光路方向调节所述物镜的位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处。

3.“吡啶类蒽衍生物铂配位化合物及其合成与应用”成果包含如下1项知识产权：

（1）专利申请权：吡啶类蒽衍生物铂配位化合物及其合成与应用

发明人：王磊，向松坡

申请号：201611001142.5

申请人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种吡啶类蒽衍生物铂配位化合物及其合成与应用，该吡啶类蒽衍生物铂配位化合物是以吡啶衍生物铂配合物为中心，再加上蒽基团，降低整个分子三重态从而实现近红外发射；并且通过蒽基团对分子排列作用，实现金属对配体电荷转移态的作用和金属对金属对配体电荷转移态的双重作用，实现双重磷光发射，该吡啶类蒽衍生物铂配位化合物可用于温度探测、以及作为电致发光材料，是种新的温度探测、单分子白光和近红外发光材料。

4.“存储系统数据处理与加密技术”成果包含如下2项知识产权：

（1）发明专利：一种存储系统数据分布及互转换方法

发明人：谢长生，李怀阳，刘艳，黄建忠，蔡斌

专利号：ZL200710168686.5

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种存储系统数据分布及互转换方法，由多个磁盘构成一个连续的存储空间，并分条构成磁盘阵列，将磁盘阵列划分成连续的存储子空间，称为子阵列，并根据需要分别将子阵列的冗余级别设置成0、1或5；进行转换时，根据转换类型的不同，选择相应方式进行转换。

（2）发明专利：一种用于NAS存储系统的加密读写方法

发明人：谢长生，黄建忠，蔡斌，李怀阳，吴伟

专利号：ZL200610124993.9

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种在内核态文件系统层的加密读写方法，该方法位于虚拟文件系统和物理文件系统之间，读操作时，先对读取的密文数据进行解密，再传给上层的虚拟文件系统；写操作时，先判断写操作的类型，若是写入操作，则先将待写的明文数据进行加密，再将截取的密文数据传给下层的物理文件系统，若是修改操作，则对读入内存的密文数据进行局部解密、覆盖、全局加密、局部截取等四个步骤的操作。

二、拟交易价格

作价投资：1000万元

三、价格形成过程

学校委托武汉中康正资产评估有限公司对该项目进行资产评估，评估价值为人民币999.96万元。经全体发明人同意，并与武汉光电工业技术研究院有限公司协商，双方同意该成果以1000万元作价投资。

特此公示，公示期15日，自2019年6月20日起至2019年7月4日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我办反映。

联系人：臧老师

联系电话：027-87540925

科技成果转化办公室

2019年6月20日