报告题目：超小尺寸Micro-LED材料外延与器件制备研究

时间：2024年4月8日14:00-15:30

报告人：刘斌 教授，南京大学

邀请人：唐江 教授，华中科技大学

地点：华中科技大学新光电信息大楼C117

报告人简介：

刘斌，南京大学电子科学与工程学院教授、博导、副院长，教育部长江学者特聘教授，国家重点研发计划项目首席科学家，长期从事氮化镓基半导体材料生长、Micro-LED显示、紫外探测器件技术研究，担任我国第三代半导体联盟、光电子行业协会等Micro-LED显示器件专委会委员等。他博士毕业于南京大学物理系，曾在英国谢菲尔德大学III-V族半导体国家实验室做博士后研究，先后在中国香港中文大学、瑞典皇家工学院访问研究；主持/完成国家重点研发计划、“973”计划课题，国家自然科学基金优青、面上项目，参与自然科学基金创新群体、重点项目，发表SCI论文250余篇，授权中国、美国发明专利60余项，获教育部技术发明一等奖、自然科学一等奖，福建省科技进步一等奖，以及国家教学成果二等奖。

报告摘要：

基于氮化镓(GaN)基半导体的Micro-LED材料与芯片及其在消费电子、汽车车载显示、VR/AR虚拟增强显示等方面应用受到学术界与产业界极大的关注。当前Micro-LED显示技术仍面临巨量转移精度与效率、红光缺失、芯片光效Droop效应等科学与技术难题。针对上述问题，采用MOCVD外延生长氮化镓(GaN)薄膜与量子阱结构，生长获得了高质量、弱极化场InGaN/GaN量子阱结构，实现橙红长波长630nm的LED器件以及Micro-LED阵列；优化侧壁钝化工艺，制备出超小尺寸单色Micro-LED阵列，PPI达10040；设计并制备出一种新型微纳混合结构GaN量子阱/II-VI族量子点集成LED，实现了量子点集成的RGB三色的Micro-LED阵列，量子点图形化最小尺寸达2 μm；合作研制出基于二维MoS2材料TFT驱动电路集成的超高分辨氮化镓Micro-LED异质集成芯片微显示器件。上述新结构、新器件为高效全彩显示、高分辨透明显示等应用提供了新技术路径。

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